Infineon BFR193E6327HTSA1 РЧ биполярный транзистор

Код товара RS: 823-5538PБренд: InfineonПарт-номер производителя: BFR193E6327HTSA1
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

80 mA

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

12 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

580 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

2 В

Максимальная рабочая частота

8 ГГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.9 x 1.3 x 1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BFR193E6327HTSA1 РЧ биполярный транзистор
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BFR193E6327HTSA1 РЧ биполярный транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

80 mA

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

12 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

580 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

2 В

Максимальная рабочая частота

8 ГГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.9 x 1.3 x 1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

RF Bipolar Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon