Infineon BFR181WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 20 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323

Код товара RS: 273-7302Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BFR181WH6327XTSA1
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный пост. ток коллектора

20 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

20 В

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BFR181WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 20 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

Infineon BFR181WH6327XTSA1 RF Bipolar Transistor, 20 mA, 20 V, 3-Pin SOT-323
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный пост. ток коллектора

20 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

20 В

Тип корпуса

SOT-323

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3