Infineon BFP840FESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 2.25 V, 4-Pin TSFP

Код товара RS: 170-2364PБренд: InfineonПарт-номер производителя: BFP840FESDH6327XTSA1
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

35 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

2.25 V

Тип корпуса

TSFP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

75 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

2,6 В, 2,9 В

Максимальная рабочая частота

85 ГГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1.4 x 0.8 x 0.55мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BFP840FESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 2.25 V, 4-Pin TSFP
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Infineon BFP840FESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 35 mA, 2.25 V, 4-Pin TSFP

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

35 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

2.25 V

Тип корпуса

TSFP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

75 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

2,6 В, 2,9 В

Максимальная рабочая частота

85 ГГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1.4 x 0.8 x 0.55мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C