Infineon BFP840FESDH6327XTSA1 Транзистор

Код товара RS: 170-2255Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BFP840FESDH6327XTSA1
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

35 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

2.25 V

Тип корпуса

TSFP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

75 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

2,6 В, 2,9 В

Максимальная рабочая частота

85 ГГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1.4 x 0.8 x 0.55мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BFP840FESDH6327XTSA1 Транзистор

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

Infineon BFP840FESDH6327XTSA1 Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

35 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

2.25 V

Тип корпуса

TSFP

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

75 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

2,6 В, 2,9 В

Максимальная рабочая частота

85 ГГц

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

1

Размеры

1.4 x 0.8 x 0.55мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C