Infineon BFP840ESDH6327XTSA1 NPN Bipolar Transistor, 35 mA, 2.25 V, 4-Pin SOT-343
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
35 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
2.25 V
Тип корпуса
SOT-343
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
75 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
2,6 В, 2,9 В
Максимальная рабочая частота
80 ГГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2 x 1.25 x 0.8мм
Информация о товаре
SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon
A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.
Bipolar Transistors, Infineon
тг 8 046,00
тг 160,92 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 8 046,00
тг 160,92 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 950 | тг 160,92 | тг 8 046,00 |
| 1000 - 1950 | тг 89,40 | тг 4 470,00 |
| 2000 - 2950 | тг 84,93 | тг 4 246,50 |
| 3000 - 5950 | тг 84,93 | тг 4 246,50 |
| 6000+ | тг 84,93 | тг 4 246,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
35 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
2.25 V
Тип корпуса
SOT-343
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
75 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
2,6 В, 2,9 В
Максимальная рабочая частота
80 ГГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2 x 1.25 x 0.8мм
Информация о товаре
SiGe RF Bipolar Transistors, Infineon
A range of ultra-low-noise wideband NPN bipolar RF transistors from Infineon. These hetero-junction bipolar devices utilize Infineon’s silicon germanium carbon (SiGe:C) material technology and are especially suited for use mobile applications in which low power consumption is a key requirement. With typical transition frequencies of up to 65 GHz these devices offer high power gain at frequencies of up to 10 GHz when used in amplifier applications. The transistors include internal circuitry for ESD and excessive RF input power protection.