Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 13 V SOT-343

Код товара RS: 259-1439Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BFP640ESDH6327XTSA1
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

50 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

13 V

Тип корпуса

SOT-343

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 13 V SOT-343

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 13 V SOT-343

Информация о наличии не успела загрузиться

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

50 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

13 V

Тип корпуса

SOT-343

Тип монтажа

Поверхностный монтаж