Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 13 V SOT-343

Код товара RS: 259-1438Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BFP640ESDH6327XTSA1
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

50 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

13 V

Тип корпуса

SOT-343

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 13 V SOT-343

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

Infineon BFP640ESDH6327XTSA1 NPN RF Bipolar Transistor, 50 mA, 13 V SOT-343
Информация о наличии не успела загрузиться

3000

Доступно в кратности 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

50 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

13 V

Тип корпуса

SOT-343

Тип монтажа

Поверхностный монтаж