Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
60 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
15 В
Тип корпуса
SOT-343
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
210 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
15 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
1,5 В
Максимальная рабочая частота
25 ГГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2 x 1.25 x 0.8мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
50 - 150 | P.O.A. |
200 - 950 | P.O.A. |
1000 - 2450 | P.O.A. |
2500 - 4950 | P.O.A. |
5000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
60 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
15 В
Тип корпуса
SOT-343
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
210 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
15 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
1,5 В
Максимальная рабочая частота
25 ГГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2 x 1.25 x 0.8мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре