Infineon BFP196E6327HTSA1 NPN Bipolar Transistor, 150 mA, 12 V, 4-Pin SOT-143
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
150 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 В
Тип корпуса
SOT-143
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
700 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
7,5 ГГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
150 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 В
Тип корпуса
SOT-143
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
700 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
7,5 ГГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре