Infineon BFP183WH6327XTSA1 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
65 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 В
Тип корпуса
SOT-343
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
450 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
8000 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
0.9 x 2 x 1.25мм
Высота
0.9мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
тг 125,16
Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 125,16
Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 200 | тг 125,16 | тг 6 258,00 |
| 250 - 450 | тг 98,34 | тг 4 917,00 |
| 500 - 950 | тг 84,93 | тг 4 246,50 |
| 1000 - 2450 | тг 75,99 | тг 3 799,50 |
| 2500+ | тг 71,52 | тг 3 576,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
65 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
12 В
Тип корпуса
SOT-343
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
450 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
2 В
Максимальная рабочая частота
8000 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
0.9 x 2 x 1.25мм
Высота
0.9мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
RF Bipolar Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon