Infineon BDP950H6327XTSA1 Транзистор

Код товара RS: 110-9096Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BDP950H6327XTSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

5 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

15

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

3 + Tab

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.5мм

Информация о товаре

General Purpose PNP Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BDP950H6327XTSA1 Транзистор
Select packaging type

P.O.A.

Infineon BDP950H6327XTSA1 Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

5 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

15

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

3 + Tab

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.5мм

Информация о товаре

General Purpose PNP Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon