Infineon BCW68GE6327HTSA1 Транзистор

Код товара RS: 753-2778Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BCW68GE6327HTSA1
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

800 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

330 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

45 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

200 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.9мм

Информация о товаре

General Purpose PNP Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BCW68GE6327HTSA1 Транзистор
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

Infineon BCW68GE6327HTSA1 Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
100 - 2400P.O.A.
2500 - 9900P.O.A.
10000 - 49900P.O.A.
50000 - 299900P.O.A.
300000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Тип транзистора

PNP

Максимальный пост. ток коллектора

800 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

330 мВт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

45 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

200 МГц

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.9мм

Информация о товаре

General Purpose PNP Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon