Infineon BCW61BE6327HTSA1 Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
32 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-32 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Small Signal PNP Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | P.O.A. |
| 10 - 24 | P.O.A. |
| 25+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
32 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-32 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре