Infineon BCW60DE6327HTSA1 NPN Transistor, 100 mA, 32 V, 3-Pin SOT-23
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
32 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
380
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
32 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1000 - 2000 | P.O.A. |
| 3000 - 5000 | P.O.A. |
| 6000 - 11000 | P.O.A. |
| 12000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
32 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
380
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
32 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре