Infineon BCV62CE6327HTSA1 Dual PNP Transistor, -100 mA, -30 V, 4-Pin SOT-143
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-143
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Конфигурация транзистора
Токовое зеркало
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
250
P.O.A.
250
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 250 - 750 | P.O.A. |
| 1000 - 2750 | P.O.A. |
| 3000 - 5750 | P.O.A. |
| 6000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-143
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Конфигурация транзистора
Токовое зеркало
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
4
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Информация о товаре