Infineon BCV61BE6327HTSA1 Dual NPN Darlington Pair, 100 mA 30 V HFE:100, 4-Pin SOT-143

Код товара RS: 752-8079Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BCV61BE6327HTSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Тип корпуса

SOT-143

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

900 мВ

Максимальное напряжение коллектор-база

30 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

600 мВ

Максимальный запирающий ток коллектора

5µA

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

0.9мм

Ширина

1.3мм

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.9мм

Информация о товаре

Darlington Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BCV61BE6327HTSA1 Dual NPN Darlington Pair, 100 mA 30 V HFE:100, 4-Pin SOT-143
Select packaging type

P.O.A.

Infineon BCV61BE6327HTSA1 Dual NPN Darlington Pair, 100 mA 30 V HFE:100, 4-Pin SOT-143
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
25 - 600P.O.A.
625 - 2475P.O.A.
2500 - 12475P.O.A.
12500 - 74975P.O.A.
75000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

100 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Тип корпуса

SOT-143

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

900 мВ

Максимальное напряжение коллектор-база

30 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

600 мВ

Максимальный запирающий ток коллектора

5µA

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

0.9мм

Ширина

1.3мм

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.9мм

Информация о товаре

Darlington Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon