Infineon BCV49H6327XTSA1 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-89

Код товара RS: 166-0976Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BCV49H6327XTSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-89

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

10мкА

Высота

1.5мм

Ширина

2.5мм

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Размеры

4.5 x 2.5 x 1.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.5мм

Ток базы

100mA

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Darlington Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BCV49H6327XTSA1 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-89

P.O.A.

Infineon BCV49H6327XTSA1 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-89
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-89

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

10мкА

Высота

1.5мм

Ширина

2.5мм

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Размеры

4.5 x 2.5 x 1.5мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

4.5мм

Ток базы

100mA

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Darlington Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon