Infineon BCV47E6327HTSA1 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 911-4754Бренд: InfineonПарт-номер производителя: BCV47E6327HTSA1
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.01mA

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.9мм

Высота

0.9мм

Ширина

1.3мм

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Darlington Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon BCV47E6327HTSA1 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-23

P.O.A.

Infineon BCV47E6327HTSA1 NPN Darlington Transistor, 500 mA 60 V HFE:2000, 3-Pin SOT-23
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.01mA

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.9мм

Высота

0.9мм

Ширина

1.3мм

Максимальное рассеяние мощности

360 мВт

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Darlington Transistors, Infineon

Bipolar Transistors, Infineon