Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-89
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
4000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальный запирающий ток коллектора
10мкА
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.5мм
Высота
1.5мм
Ширина
2.5мм
Размеры
4.5 x 2.5 x 1.5мм
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
25 - 600 | P.O.A. |
625 - 2475 | P.O.A. |
2500 - 12475 | P.O.A. |
12500 - 24975 | P.O.A. |
25000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-89
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
4000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальный запирающий ток коллектора
10мкА
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
4.5мм
Высота
1.5мм
Ширина
2.5мм
Размеры
4.5 x 2.5 x 1.5мм