Infineon,Trans BCV26E6327
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
20000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальный запирающий ток коллектора
10мкА
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
0.9мм
Ширина
1.3мм
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Информация о товаре
Darlington Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
500
P.O.A.
500
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 500 - 1000 | P.O.A. |
| 1500 - 2500 | P.O.A. |
| 3000 - 5500 | P.O.A. |
| 6000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
20000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
40 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1 В
Максимальный запирающий ток коллектора
10мкА
Максимальное рассеяние мощности
360 мВт
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
0.9мм
Ширина
1.3мм
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Информация о товаре