Infineon BCR196E6327HTSA1 Цифровой транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
50
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный коэффициент резистора
2,13
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Типичный входной резистор
47 кΩ
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | P.O.A. |
| 10 - 24 | P.O.A. |
| 25+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
200 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
50
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Типичный коэффициент резистора
2,13
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Типичный входной резистор
47 кΩ