Infineon BC858AE6327HTSA1 PNP Bipolar Transistor, 100 mA, 30 V, 3-Pin SOT-23
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1000 - 2000 | P.O.A. |
| 3000 - 5000 | P.O.A. |
| 6000 - 11000 | P.O.A. |
| 12000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
250 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.3 x 0.9мм
Информация о товаре