Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SC-74
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
200 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.6 x 1мм
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Infineon
Bipolar Transistors, Infineon
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
25 - 600 | P.O.A. |
625 - 2475 | P.O.A. |
2500 - 12475 | P.O.A. |
12500 - 74975 | P.O.A. |
75000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SC-74
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
330 мВт
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
200 МГц
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.9 x 1.6 x 1мм
Информация о товаре