Infineon AIGW50N65F5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

Код товара RS: 215-6610Бренд: InfineonПарт-номер производителя: AIGW50N65F5XKSA1
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20 V, ±30 V

Максимальное рассеяние мощности

270 Вт

Тип корпуса

PG-TO247-3

Число контактов

3

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Infineon AIGW50N65F5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

P.O.A.

Infineon AIGW50N65F5XKSA1 IGBT, 80 A 650 V, 3-Pin PG-TO247-3
Информация о наличии не успела загрузиться

30

Доступно в кратности 30
30P.O.A.
60P.O.A.
90P.O.A.
120P.O.A.
150P.O.A.
180P.O.A.
210P.O.A.
240P.O.A.
270P.O.A.
300P.O.A.
330P.O.A.
360P.O.A.
390P.O.A.
420P.O.A.
450P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Infineon

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20 V, ±30 V

Максимальное рассеяние мощности

270 Вт

Тип корпуса

PG-TO247-3

Число контактов

3