Infineon 6ED003L06F2XUMA1 Драйвер MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonВыходной ток
420 mA
Напряжение питания
17.5V
Число контактов
28
Тип корпуса
DSO
Время спада
45нс
Количество выходов
6
Время нарастания
100нс
Топология
Гальванически изолированный
Зависимость стороны высокого и низкого давления
Независимый
Количество драйверов
6
Задержка по времени
800нс
Тип перемычки
Полномостовой
Полярность
Неинвертирующий
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
EiceDRIVER 3-Phase Gate Drive IC, Infineon
3-phase 600V MOSFET and IGBT gate driver ICs from Infineon based on proven existing SOI-technology. The absence of parasitic thyristor structures in these rugged devices prevents latch-up under all normal operating conditions. The drivers include under-voltage over-current detection and can be controlled by CMOS or LSTTL compatible signals down to 3.3V.
MOSFET & IGBT Drivers, Infineon (International Rectifier)
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1000
P.O.A.
1000
Техническая документация
Характеристики
Brand
InfineonВыходной ток
420 mA
Напряжение питания
17.5V
Число контактов
28
Тип корпуса
DSO
Время спада
45нс
Количество выходов
6
Время нарастания
100нс
Топология
Гальванически изолированный
Зависимость стороны высокого и низкого давления
Независимый
Количество драйверов
6
Задержка по времени
800нс
Тип перемычки
Полномостовой
Полярность
Неинвертирующий
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
EiceDRIVER 3-Phase Gate Drive IC, Infineon
3-phase 600V MOSFET and IGBT gate driver ICs from Infineon based on proven existing SOI-technology. The absence of parasitic thyristor structures in these rugged devices prevents latch-up under all normal operating conditions. The drivers include under-voltage over-current detection and can be controlled by CMOS or LSTTL compatible signals down to 3.3V.