Hamamatsu, S3884 Near Infrared Radiation Si Photodiode, Through Hole TO-5
Техническая документация
Характеристики
Обнаруженные спектры
Ближнее инфракрасное излучение
Длина волны пиковой чувствительности
800нм
Тип корпуса
TO-5
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество контактов
3
Материал диода
Кремний
Страна происхождения
Japan
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Hamamatsu, S3884 Near Infrared Radiation Si Photodiode, Through Hole TO-5
1
P.O.A.
Hamamatsu, S3884 Near Infrared Radiation Si Photodiode, Through Hole TO-5
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Обнаруженные спектры
Ближнее инфракрасное излучение
Длина волны пиковой чувствительности
800нм
Тип корпуса
TO-5
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Количество контактов
3
Материал диода
Кремний
Страна происхождения
Japan