Fuji Electric 7MBR50VB-120-50 Модуль IGBT

Код товара RS: 110-9135Бренд: Fuji ElectricПарт-номер производителя: 7MBR50VB-120-50
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Fuji Electric

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

280 Вт

Тип корпуса

M712

Конфигурация

3-фазный мост

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

24

Конфигурация транзистора

Трехфазные

Размеры

122 x 62 x 17мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Modules 7-Pack, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Fuji Electric 7MBR50VB-120-50 Модуль IGBT

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

P.O.A.

Fuji Electric 7MBR50VB-120-50 Модуль IGBT
Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 1
1P.O.A.
2P.O.A.
3P.O.A.
4P.O.A.
5P.O.A.
6P.O.A.
7P.O.A.
8P.O.A.
9P.O.A.
10P.O.A.
11P.O.A.
12P.O.A.
13P.O.A.
14P.O.A.
15P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Fuji Electric

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

280 Вт

Тип корпуса

M712

Конфигурация

3-фазный мост

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

24

Конфигурация транзистора

Трехфазные

Размеры

122 x 62 x 17мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о товаре

IGBT Modules 7-Pack, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.