Fuji Electric 7MBR25UA-120-50 Модуль IGBT

Код товара RS: 146-1716Бренд: Fuji ElectricПарт-номер производителя: 7MBR25UA-120-50
brand-logo
View all in Модули БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Fuji Electric

Максимальный непрерывный ток коллектора

25 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

115 Вт

Тип корпуса

M711

Конфигурация

3-фазный мост

Тип монтажа

Монтаж на печатную плату

Тип канала

N

Число контактов

24

Конфигурация транзистора

Трехфазные

Размеры

107.5 x 45 x 17мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Fuji Electric 7MBR25UA-120-50 Модуль IGBT

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Fuji Electric 7MBR25UA-120-50 Модуль IGBT
Информация о наличии не успела загрузиться

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Fuji Electric

Максимальный непрерывный ток коллектора

25 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

115 Вт

Тип корпуса

M711

Конфигурация

3-фазный мост

Тип монтажа

Монтаж на печатную плату

Тип канала

N

Число контактов

24

Конфигурация транзистора

Трехфазные

Размеры

107.5 x 45 x 17мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.