Fuji Electric 7MBP75RA-120-55 3 Phase IGBT Module, 75 A 1200 V, 22-Pin P 610, PCB Mount
Техническая документация
Характеристики
Brand
Fuji ElectricМаксимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное рассеяние мощности
500 Вт
Тип корпуса
P 610
Конфигурация
Трехфазный
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
22
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Размеры
109 x 88 x 22мм
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Максимальная рабочая температура
+100 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | P.O.A. |
| 2 - 4 | P.O.A. |
| 5 - 9 | P.O.A. |
| 10 - 19 | P.O.A. |
| 20+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Fuji ElectricМаксимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное рассеяние мощности
500 Вт
Тип корпуса
P 610
Конфигурация
Трехфазный
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
22
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Размеры
109 x 88 x 22мм
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Максимальная рабочая температура
+100 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.