Fuji Electric 6MBP50VBA-120-50 Интеллектуальный силовой модуль
Техническая документация
Характеристики
Brand
Fuji ElectricМаксимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное рассеяние мощности
255 Вт
Конфигурация
Трехфазный
Тип корпуса
P 626
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
24
Скорость переключения
20кГц
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Размеры
87 x 50.2 x 12мм
Максимальная рабочая температура
+110 °C
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
IPM (Intelligent Power Module) IGBT, V-Series, Fuji Electric
The Fuji Electric V-series Intelligent Power Modules (IPM) come equipped with drive, control and protection IGBT circuits. They are easy to implement in power control applications for AC servos, air conditioning equipment and elevators. Built-in protection functions optimize and increase the lifetime of IPM IGBTs thereby safeguarding high system reliability. The IPMs come equipped with protection against over-current, short circuit, control power voltage drop and over-heating, and include output alarm signals.
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Техническая документация
Характеристики
Brand
Fuji ElectricМаксимальный непрерывный ток коллектора
50 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное рассеяние мощности
255 Вт
Конфигурация
Трехфазный
Тип корпуса
P 626
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
24
Скорость переключения
20кГц
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Размеры
87 x 50.2 x 12мм
Максимальная рабочая температура
+110 °C
Минимальная рабочая температура
-20 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
IPM (Intelligent Power Module) IGBT, V-Series, Fuji Electric
The Fuji Electric V-series Intelligent Power Modules (IPM) come equipped with drive, control and protection IGBT circuits. They are easy to implement in power control applications for AC servos, air conditioning equipment and elevators. Built-in protection functions optimize and increase the lifetime of IPM IGBTs thereby safeguarding high system reliability. The IPMs come equipped with protection against over-current, short circuit, control power voltage drop and over-heating, and include output alarm signals.
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.