Fuji Electric 6MBI75U4B-120-50 Модуль IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
Fuji ElectricМаксимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
390 Вт
Тип корпуса
M633
Конфигурация
3-фазный мост
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
35
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Размеры
122 x 62 x 17мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
IGBT Modules 6-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 1 | P.O.A. |
| 2 - 4 | P.O.A. |
| 5 - 9 | P.O.A. |
| 10 - 19 | P.O.A. |
| 20+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Fuji ElectricМаксимальный непрерывный ток коллектора
75 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
390 Вт
Тип корпуса
M633
Конфигурация
3-фазный мост
Тип монтажа
Монтаж на печатную плату
Тип канала
N
Число контактов
35
Конфигурация транзистора
Трехфазные
Размеры
122 x 62 x 17мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Japan
Информация о товаре
IGBT Modules 6-Pack, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.