Fuji Electric 2MBi300U4H-120-50 Series IGBT Module, 300 A 1200 V, 7-Pin M249, Panel Mount
Техническая документация
Характеристики
Brand
Fuji ElectricМаксимальный непрерывный ток коллектора
300 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
1,47 кВт
Тип корпуса
M249
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
7
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
108 x 62 x 30мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 4 | P.O.A. |
| 5 - 9 | P.O.A. |
| 10 - 24 | P.O.A. |
| 25+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
Fuji ElectricМаксимальный непрерывный ток коллектора
300 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
1,47 кВт
Тип корпуса
M249
Конфигурация
Серия
Тип монтажа
Монтаж на панель
Тип канала
N
Число контактов
7
Конфигурация транзистора
Серия
Размеры
108 x 62 x 30мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, Fuji Electric
IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.