Fuji Electric 2MBI200U4B-120-50, M233 , N-Channel Series IGBT Module, 200 A max, 1200 V, Panel Mount

Код товара RS: 168-4541Бренд: Fuji ElectricПарт-номер производителя: 2MBI200U4B-120-50
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Fuji Electric

Максимальный непрерывный ток коллектора

200 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

1,04 кВт

Тип корпуса

M233

Конфигурация

Серия

Тип монтажа

Монтаж на панель

Тип канала

N

Число контактов

7

Конфигурация транзистора

Серия

Размеры

92 x 45 x 30мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Fuji Electric 2MBI200U4B-120-50, M233 , N-Channel Series IGBT Module, 200 A max, 1200 V, Panel Mount

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

P.O.A.

Fuji Electric 2MBI200U4B-120-50, M233 , N-Channel Series IGBT Module, 200 A max, 1200 V, Panel Mount
Информация о наличии не успела загрузиться

20

Доступно в кратности 20
20P.O.A.
40P.O.A.
60P.O.A.
80P.O.A.
100P.O.A.
120P.O.A.
140P.O.A.
160P.O.A.
180P.O.A.
200P.O.A.
220P.O.A.
240P.O.A.
260P.O.A.
280P.O.A.
300P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

Fuji Electric

Максимальный непрерывный ток коллектора

200 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

1,04 кВт

Тип корпуса

M233

Конфигурация

Серия

Тип монтажа

Монтаж на панель

Тип канала

N

Число контактов

7

Конфигурация транзистора

Серия

Размеры

92 x 45 x 30мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

IGBT Modules 2-Pack, Fuji Electric

IGBT Discretes & Modules, Fuji Electric

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.