Fairchild ISL9V3040P3 IGBT, 21 A 450 V, 3-Pin TO-220AB, Through Hole

Код товара RS: 862-9359Бренд: Fairchild SemiconductorПарт-номер производителя: ISL9V3040P3
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

Fairchild Semiconductor

Максимальный непрерывный ток коллектора

21 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

450 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±14V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.67 x 4.7 x 16.3мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 978,30

тг 795,66 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Fairchild ISL9V3040P3 IGBT, 21 A 450 V, 3-Pin TO-220AB, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 978,30
10тг 7 956,60
15тг 11 934,90
20тг 15 913,20
25тг 19 891,50
30тг 23 869,80
35тг 27 848,10
40тг 31 826,40
45тг 35 804,70
50тг 32 407,50
55тг 35 648,25
60тг 38 889,00
65тг 42 129,75
70тг 45 370,50
75тг 48 611,25

тг 3 978,30

тг 795,66 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Fairchild ISL9V3040P3 IGBT, 21 A 450 V, 3-Pin TO-220AB, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 3 978,30
10тг 7 956,60
15тг 11 934,90
20тг 15 913,20
25тг 19 891,50
30тг 23 869,80
35тг 27 848,10
40тг 31 826,40
45тг 35 804,70
50тг 32 407,50
55тг 35 648,25
60тг 38 889,00
65тг 42 129,75
70тг 45 370,50
75тг 48 611,25

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 45тг 795,66тг 3 978,30
50 - 195тг 648,15тг 3 240,75
200 - 395тг 527,46тг 2 637,30
400 - 795тг 514,05тг 2 570,25
800+тг 455,94тг 2 279,70

Техническая документация

Характеристики

Brand

Fairchild Semiconductor

Максимальный непрерывный ток коллектора

21 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

450 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±14V

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Тип корпуса

TO-220AB

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

10.67 x 4.7 x 16.3мм

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.