Fairchild Semiconductor HGTG30N60C3D IGBT
Техническая документация
Характеристики
Максимальный непрерывный ток коллектора
63 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.87 x 4.82 x 20.82мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Техническая документация
Характеристики
Максимальный непрерывный ток коллектора
63 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
600 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип корпуса
TO-247
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.87 x 4.82 x 20.82мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.