Fairchild Semiconductor BSP52 Пара Дарлингтона
Техническая документация
Характеристики
Тип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,9 В
Максимальное напряжение коллектор-база
90 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,3 В
Максимальный запирающий ток коллектора
10мкА
Ширина
3.5мм
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 50 - 200 | P.O.A. |
| 250 - 450 | P.O.A. |
| 500 - 2450 | P.O.A. |
| 2500 - 4950 | P.O.A. |
| 5000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Тип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
800 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3 + Tab
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
1000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,9 В
Максимальное напряжение коллектор-база
90 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,3 В
Максимальный запирающий ток коллектора
10мкА
Ширина
3.5мм
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.6мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
6.5мм
Максимальное рассеяние мощности
1 Вт