Diodes Inc ZX5T851GTA NPN Low Saturation Bipolar Transistor, 6 A, 60 V, 3 + Tab-Pin SOT-223

Код товара RS: 823-1855Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZX5T851GTA
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

6 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

12,8 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

150 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Максимальная рабочая частота

130 МГц

Число контактов

3 + Tab

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.55 x 3.55 x 1.65мм

Информация о товаре

Bipolar Power Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Вас может заинтересовать
Информация о наличии не успела загрузиться

тг 5 632,20

тг 281,61 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Diodes Inc ZX5T851GTA NPN Low Saturation Bipolar Transistor, 6 A, 60 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
Select packaging type

тг 5 632,20

тг 281,61 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)

Diodes Inc ZX5T851GTA NPN Low Saturation Bipolar Transistor, 6 A, 60 V, 3 + Tab-Pin SOT-223
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
20 - 80тг 281,61тг 5 632,20
100 - 180тг 219,03тг 4 380,60
200 - 480тг 201,15тг 4 023,00
500 - 980тг 174,33тг 3 486,60
1000+тг 147,51тг 2 950,20
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

6 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

60 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

12,8 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

100

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

150 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

7 В

Максимальная рабочая частота

130 МГц

Число контактов

3 + Tab

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.55 x 3.55 x 1.65мм

Информация о товаре

Bipolar Power Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Вас может заинтересовать