Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Тип корпуса
E-Line
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
50
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
400 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
4.77 x 2.41 x 4.01мм
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
High Voltage Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
400 В
Тип корпуса
E-Line
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
500 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
50
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
400 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
4.77 x 2.41 x 4.01мм
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре