Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
160 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
E-Line
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,9 В
Максимальное напряжение коллектор-база
180 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.2 V
Максимальный запирающий ток коллектора
0.00001mA
Высота
4.01мм
Ширина
2.41мм
Размеры
4.77 x 2.41 x 4.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Длина
4.77мм
Информация о товаре
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
5
P.O.A.
5
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
5 - 20 | P.O.A. |
25 - 95 | P.O.A. |
100 - 245 | P.O.A. |
250 - 495 | P.O.A. |
500+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
160 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
10 В
Тип корпуса
E-Line
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
5000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1,9 В
Максимальное напряжение коллектор-база
180 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.2 V
Максимальный запирающий ток коллектора
0.00001mA
Высота
4.01мм
Ширина
2.41мм
Размеры
4.77 x 2.41 x 4.01мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+200 °C
Длина
4.77мм
Информация о товаре