Diodes Inc ZHB6790TA Quad NPN/PNP Transistor, 2 A, 40 V, 8-Pin SM

Код товара RS: 751-5164Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZHB6790TA
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

SM

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

150

Конфигурация транзистора

Полномостовой

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

150 МГц

Число контактов

8

Количество элементов на ИС

4

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.6мм

Страна происхождения

Germany

Информация о товаре

Quad Transistor H-bridge, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 3 620,70

тг 724,14 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Diodes Inc ZHB6790TA Quad NPN/PNP Transistor, 2 A, 40 V, 8-Pin SM
Select packaging type

тг 3 620,70

тг 724,14 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

Diodes Inc ZHB6790TA Quad NPN/PNP Transistor, 2 A, 40 V, 8-Pin SM
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 724,14тг 3 620,70
25 - 120тг 697,32тг 3 486,60
125 - 495тг 594,51тг 2 972,55
500 - 995тг 563,22тг 2 816,10
1000+тг 545,34тг 2 726,70

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Тип корпуса

SM

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

150

Конфигурация транзистора

Полномостовой

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

150 МГц

Число контактов

8

Количество элементов на ИС

4

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.6мм

Страна происхождения

Germany

Информация о товаре

Quad Transistor H-bridge, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc