Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
SM
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
150
Конфигурация транзистора
Полномостовой
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
150 МГц
Число контактов
8
Количество элементов на ИС
4
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.6мм
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
Quad Transistor H-bridge, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
тг 3 620,70
тг 724,14 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 3 620,70
тг 724,14 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
5 - 20 | тг 724,14 | тг 3 620,70 |
25 - 120 | тг 697,32 | тг 3 486,60 |
125 - 495 | тг 594,51 | тг 2 972,55 |
500 - 995 | тг 563,22 | тг 2 816,10 |
1000+ | тг 545,34 | тг 2 726,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
2 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
40 В
Тип корпуса
SM
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
150
Конфигурация транзистора
Полномостовой
Максимальное напряжение коллектор-база
50 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
150 МГц
Число контактов
8
Количество элементов на ИС
4
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.6мм
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре