Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
2,5 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 В
Тип корпуса
SM
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Полномостовой
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
140 МГц
Число контактов
8
Количество элементов на ИС
4
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре
Quad Transistor H-bridge, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
тг 1 814,82
тг 907,41 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 1 814,82
тг 907,41 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
2 - 8 | тг 907,41 | тг 1 814,82 |
10 - 38 | тг 733,08 | тг 1 466,16 |
40 - 98 | тг 733,08 | тг 1 466,16 |
100 - 198 | тг 590,04 | тг 1 180,08 |
200+ | тг 585,57 | тг 1 171,14 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
2,5 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
20 В
Тип корпуса
SM
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
300
Конфигурация транзистора
Полномостовой
Максимальное напряжение коллектор-база
20 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
140 МГц
Число контактов
8
Количество элементов на ИС
4
Размеры
6.7 x 3.7 x 1.6мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
Germany
Информация о товаре