Website Outage

Due to essential maintenance the website will be unavailable from 3am to 7am (GMT) Saturday 10th May. We apologise for any inconvenience.

DiodesZetex ZHB6718TA Транзистор

Код товара RS: 669-7436Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: ZHB6718TA
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

2,5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

20 В

Тип корпуса

SM

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

300

Конфигурация транзистора

Полномостовой

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

140 МГц

Число контактов

8

Количество элементов на ИС

4

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Germany

Информация о товаре

Quad Transistor H-bridge, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 1 814,82

тг 907,41 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

DiodesZetex ZHB6718TA Транзистор
Select packaging type

тг 1 814,82

тг 907,41 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

DiodesZetex ZHB6718TA Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 907,41тг 1 814,82
10 - 38тг 733,08тг 1 466,16
40 - 98тг 733,08тг 1 466,16
100 - 198тг 590,04тг 1 180,08
200+тг 585,57тг 1 171,14

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN + PNP

Максимальный пост. ток коллектора

2,5 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

20 В

Тип корпуса

SM

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

2 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

300

Конфигурация транзистора

Полномостовой

Максимальное напряжение коллектор-база

20 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Максимальная рабочая частота

140 МГц

Число контактов

8

Количество элементов на ИС

4

Размеры

6.7 x 3.7 x 1.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Germany

Информация о товаре

Quad Transistor H-bridge, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc