Diodes Inc 40V 30mA, Schottky Diode, 6-Pin SOT-26 SDM03MT40-7-F
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-26
Максимальный непрерывный прямой ток
30mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
6
Максимальное падение прямого напряжения
370мВ
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
200mA
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 2 592,60
тг 129,63 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
тг 2 592,60
тг 129,63 Each (In a Pack of 20) (ex VAT)
Стандартная упаковка
20
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 20 - 80 | тг 129,63 | тг 2 592,60 |
| 100 - 480 | тг 98,34 | тг 1 966,80 |
| 500 - 980 | тг 89,40 | тг 1 788,00 |
| 1000 - 1980 | тг 75,99 | тг 1 519,80 |
| 2000+ | тг 62,58 | тг 1 251,60 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-26
Максимальный непрерывный прямой ток
30mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
40V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
6
Максимальное падение прямого напряжения
370мВ
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
200mA
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, up to 250mA, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.