Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
PowerDI 5060
Максимальный непрерывный прямой ток
25A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
60V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
8
Максимальное падение прямого напряжения
550мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
220A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 10A to 60A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 3 531,30
тг 353,13 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 3 531,30
тг 353,13 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 40 | тг 353,13 | тг 3 531,30 |
50 - 90 | тг 317,37 | тг 3 173,70 |
100 - 240 | тг 232,44 | тг 2 324,40 |
250 - 490 | тг 201,15 | тг 2 011,50 |
500+ | тг 183,27 | тг 1 832,70 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
PowerDI 5060
Максимальный непрерывный прямой ток
25A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
60V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
8
Максимальное падение прямого напряжения
550мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
220A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 10A to 60A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.