Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-323
Максимальный непрерывный прямой ток
1A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
30V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
460мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
20A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 3 352,50
тг 134,10 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 3 352,50
тг 134,10 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 100 | тг 134,10 | тг 3 352,50 |
125 - 475 | тг 84,93 | тг 2 123,25 |
500 - 1225 | тг 75,99 | тг 1 899,75 |
1250 - 2475 | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
2500+ | тг 58,11 | тг 1 452,75 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOD-323
Максимальный непрерывный прямой ток
1A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
30V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
2
Максимальное падение прямого напряжения
460мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
20A
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.