Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Максимальный непрерывный прямой ток
300mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
30V
Конфигурация диода
Общий катод
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
580мВ
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
1A
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 2 346,75
тг 93,87 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
тг 2 346,75
тг 93,87 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
25 - 100 | тг 93,87 | тг 2 346,75 |
125 - 600 | тг 53,64 | тг 1 341,00 |
625 - 2975 | тг 49,17 | тг 1 229,25 |
3000 - 5975 | тг 31,29 | тг 782,25 |
6000+ | тг 31,29 | тг 782,25 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Максимальный непрерывный прямой ток
300mA
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
30V
Конфигурация диода
Общий катод
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
580мВ
Количество элементов на ИС
2
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
1A
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 300mA to 1A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes. While possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.