Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
PowerDI 5
Максимальный непрерывный прямой ток
5A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
100V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
800мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
250A
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
Diodes and Rectifiers, Diodes Inc
тг 3 285,45
тг 657,09 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Стандартная упаковка
5
тг 3 285,45
тг 657,09 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
5
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 5 - 20 | тг 657,09 | тг 3 285,45 |
| 25 - 120 | тг 531,93 | тг 2 659,65 |
| 125 - 495 | тг 469,35 | тг 2 346,75 |
| 500 - 4995 | тг 326,31 | тг 1 631,55 |
| 5000+ | тг 299,49 | тг 1 497,45 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
PowerDI 5
Максимальный непрерывный прямой ток
5A
Пиковое обратное повторяющееся напряжение
100V
Конфигурация диода
Одинарный
Тип выпрямителя
Выпрямитель Шоттки
Тип диода
Шоттки
Число контактов
3
Максимальное падение прямого напряжения
800мВ
Количество элементов на ИС
1
Диодная технология
Диод Шоттки
Пиковый неповторяющийся прямой ток перегрузки
250A
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Schottky Barrier Diodes, 2A to 9A, Diodes Inc
Super Barrier Rectifiers (SBR) diodes are the next generation of rectifiers. The two terminal device has a lower forward voltage (VF) than comparable Schottky diodes while possessing the thermal stability and high reliability characteristics of PN epitaxial diodes.
