Diodes Inc MMDT5551-7-F Dual NPN Transistor, 200 mA, 160 V, 6-Pin SOT-363

Код товара RS: 711-4976PБренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: MMDT5551-7-F
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

160 В

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

200 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

80

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение коллектор-база

180 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

300 МГц

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc MMDT5551-7-F Dual NPN Transistor, 200 mA, 160 V, 6-Pin SOT-363
Select packaging type

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Diodes Inc MMDT5551-7-F Dual NPN Transistor, 200 mA, 160 V, 6-Pin SOT-363

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

160 В

Тип корпуса

SOT-363 (SC-88)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

200 мВт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

80

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение коллектор-база

180 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Максимальная рабочая частота

300 МГц

Число контактов

6

Количество элементов на ИС

2

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Информация о товаре

Small Signal NPN Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc