Diodes Inc MMBTA28-7-F Dual NPN Darlington Transistor, 500 mA 80 V HFE:10000, 3-Pin SOT-23

Код товара RS: 712-2879Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: MMBTA28-7-F
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

12 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.0005mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Darlington Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 905,50

тг 58,11 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Diodes Inc MMBTA28-7-F Dual NPN Darlington Transistor, 500 mA 80 V HFE:10000, 3-Pin SOT-23
Select packaging type

тг 2 905,50

тг 58,11 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)

Diodes Inc MMBTA28-7-F Dual NPN Darlington Transistor, 500 mA 80 V HFE:10000, 3-Pin SOT-23
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
50 - 200тг 58,11тг 2 905,50
250 - 450тг 44,70тг 2 235,00
500 - 950тг 44,70тг 2 235,00
1000 - 2450тг 31,29тг 1 564,50
2500+тг 31,29тг 1 564,50

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

12 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

2

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

10000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

80 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.0005mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Darlington Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc