Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
2
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 В
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,5 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.0005mA
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Ширина
1.4мм
Высота
1мм
Длина
3мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре
Darlington Transistors, Diodes Inc
Transistors, Diodes Inc
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
DiodesZetexТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
500 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
12 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
2
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10000
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
2 В
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1,5 В
Максимальный запирающий ток коллектора
0.0005mA
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
3 x 1.4 x 1мм
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Ширина
1.4мм
Высота
1мм
Длина
3мм
Страна происхождения
China
Информация о товаре