DiodesZetex MMBT6427-7-F Пара Дарлингтона

Код товара RS: 165-8529Бренд: DiodesZetexПарт-номер производителя: MMBT6427-7-F
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

12 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

20000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

1мкА

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Darlington Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

DiodesZetex MMBT6427-7-F Пара Дарлингтона

P.O.A.

DiodesZetex MMBT6427-7-F Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

500 мА

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

40 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

12 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

20000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

2 В

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,5 В

Максимальный запирающий ток коллектора

1мкА

Высота

1мм

Ширина

1.4мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

3мм

Максимальное рассеяние мощности

300 мВт

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Размеры

3 x 1.4 x 1мм

Страна происхождения

China

Информация о товаре

Darlington Transistors, Diodes Inc

Transistors, Diodes Inc